원자층 증착(ALD)

원자층 증착(ALD)은 일종의 CVD로 간주될 수 있습니다. Ald는 기상 전구체 펄스를 반응기에 교대로 주입하고 이를 증착 기판에 화학적으로 흡착 및 반사시켜 이성분 화합물 필름을 제조하는 방법입니다.

이 공정은 일반적인 CVD 공정과 유사하지만 ALD에서 원자층 증착의 표면 반응은 자기 제한적입니다. 즉, 새로운 원자의 화학 반응인 화학 흡착 자기 제한(CS)과 순차 반응 자기 제한(RS)입니다. 막은 이전 층과 직접적으로 관련되어 있으므로 각 반응에서는 한 층의 원자만 증착됩니다.
ALD 공정에서는 자기 제한 외에도 특정 반응 후에 모재를 분리하여 반응 정도와 최종 막 두께를 제어해야 합니다.
분리 시 다량의 분리 가스(Ar 또는 N2)를 갑작스럽게 주입하여 과잉 반응 모체와 반응 부산물을 공동에서 제거합니다. 이는 필름이 질서 있고 정량적인 방식으로 기판에 침전될 수 있음을 보장합니다.

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